Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSB053N03LPG
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
693

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 71A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Package / Case
3-WDSON

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-BSB053N03LPG
IFEINFBSB053N03LPG

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSB053N03LPG

Documenti e supporti

Datasheets
1(Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 693
Prezzo unitario: $0.43
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 693

Sostituti

-