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GermanyIRLI520NPBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRLI520NPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 8.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IFEIRFIRLI520NPBF
*IRLI520NPBF
2156-IRLI520NPBF
SP001576820
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLI520NPBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRLI520NPbF)
Other Related Documents
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Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRLI520NPbF)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRLI520GPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.91769
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.91769
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