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GermanyIRF7811ATRPBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF7811ATRPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 28 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
4,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
28 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1760 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IRF7811APBFDKR
*IRF7811ATRPBF
IRF7811ATRPBF-ND
IRF7811APBFTR
IRF7811ATRPBFTR-ND
IRF7811APBFCT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF7811ATRPBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF7811APbF)
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Product Training Modules
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF7811APbF)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : DMN2009LSS-13
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 1,856
Prezzo unitario. : $0.72000
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Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 16,306
Prezzo unitario. : $0.80000
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Parte n. : SI4686DY-T1-E3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 7,223
Prezzo unitario. : $1.34000
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