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GermanySTD9HN65M2
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
STD9HN65M2
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™ M2
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
STD9H
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
497-16036-2
497-16036-6
-497-16036-6
497-16036-1
-497-16036-1
-497-16036-2
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STD9HN65M2
Documenti e supporti
Product Training Modules
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev OBS 3/Jul/2020)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXTY4N65X2
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 70
Prezzo unitario. : $2.66000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 70
Prezzo unitario. : $2.66000
Tipo sostitutivo. : Similar