Ultimo aggiornamento
20260218
Lingua
Italia
English
Spain
Rusia
China
Germany
Notizie elettroniche
Richiesta stock online
BSS816NW L6327
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSS816NW L6327
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
>>>Clicca per controllare<<<
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT323
Package / Case
SC-70, SOT-323
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
BSS816NW L6327-ND
BSS816NWL6327
SP000464852
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSS816NW L6327
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSS816NW)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSS816NW)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : BSS816NWH6327XTSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 146,502
Prezzo unitario. : $0.41000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Prodotti simili
Wrong Part#
Wrong Part#
Wrong Part#
Wrong Part#
Wrong Part#