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Spain
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China
GermanySIGC25T60UNX1SA3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIGC25T60UNX1SA3
DESCRIZIONE
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT NPT 600 V 30 A Surface Mount Die
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 30A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
16ns/122ns
Test Condition
400V, 30A, 1.8Ohm, 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
SIGC25
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Altri nomi
SP000272525
448-SIGC25T60UNX1SA3
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Infineon Technologies SIGC25T60UNX1SA3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIGC25T60UN)
HTML Datasheet
1(SIGC25T60UN)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IGC11T60TEX7SA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar