Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTQ80N28T
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 280V 80A TO3P
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 280 V 80A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
IXYS
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
280 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
500W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
IXTQ80

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTQ80N28T

Documenti e supporti

Datasheets
1(IXTQ80N28T)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
PCN Design/Specification
1(Multiple Devices Material 23/Jun/2020)
HTML Datasheet
1(IXTQ80N28T)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IXFH86N30T
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 28
Prezzo unitario. : $11.63000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : FDA59N25
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 87
Prezzo unitario. : $3.55000
Tipo sostitutivo. : Similar