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GermanyIRF624PBF-BE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF624PBF-BE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
15 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRF624
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRF624PBF-BE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF624)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1000
Prezzo unitario: $0.82012
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000
Sostituti
-