VQ1006P-E3

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

VQ1006P-E3

DESCRIZIONE

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

Mosfet Array 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP

PRODUTTORE

Vishay Siliconix

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

Vishay Siliconix

Series

-

Package

Tube

Product Status

Obsolete

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration

4 N-Channel

FET Feature

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

90V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

400mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Power - Max

2W

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

-

Supplier Device Package

14-DIP

Base Product Number

VQ1006

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix VQ1006P-E3

Documenti e supporti

Datasheets

1(VN0808L/LS,VQ1006P)

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Device OBS Update 15/May/2017)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

RN73H2BTTD9422B10 E37F501CPN392MEB7U TFM-120-01-F-D-DS GA1210A472GBBAR31G TAZG476K015CBSB0000

VQ1006P-E3

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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