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Germany2SC4793(LBSAN,F,M)
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC4793(LBSAN,F,M)
DESCRIZIONE
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
230 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Power - Max
2 W
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220NIS
Base Product Number
2SC4793
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
2SC4793(LBSANFM)
2SC4793LBSANFM
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793(LBSAN,F,M)
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SC4793)
HTML Datasheet
1(2SC4793)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : TTC011B,Q(S
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar