Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TSM120N10PQ56 RLG
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 58A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
PRODUTTORE
Taiwan Semiconductor Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3902 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
36W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PDFN (5x6)
Package / Case
8-PowerTDFN

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

TSM120N10PQ56 RLGCT-ND
TSM120N10PQ56RLGDKR
TSM120N10PQ56 RLGDKR-ND
TSM120N10PQ56RLGCT
TSM120N10PQ56 RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGDKR
TSM120N10PQ56RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGCT
TSM120N10PQ56 RLGTR-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG

Documenti e supporti

Environmental Information
()

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : TSM160N10LCR RLG
Produttore. : Taiwan Semiconductor Corporation
Quantità disponibile. : 10,887
Prezzo unitario. : $1.65000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : BSC098N10NS5ATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 16,439
Prezzo unitario. : $1.58000
Tipo sostitutivo. : Similar