Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIRA52DP-T1-RE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
50 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7150 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIRA52

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIRA52DP-T1-RE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(N-Channel 40 V (D-S) MOSFET)
PCN Design/Specification
()

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 9000
Prezzo unitario: $0.50221
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 6000
QUANTITÀ: 6000
Prezzo unitario: $0.52651
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 6000

Sostituti

-