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GermanyA3G26D055N-2110
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
A3G26D055N-2110
DESCRIZIONE
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7x6.5)
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
GaN
Frequency
100MHz ~ 2.69GHz
Gain
13.9dB
Voltage - Test
48 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
40 mA
Power - Output
8W
Voltage - Rated
125 V
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-LDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
6-PDFN (7x6.5)
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. A3G26D055N-2110
Documenti e supporti
Datasheets
1(A3G26D055N)
Environmental Information
()
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $675
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-