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GermanyNP32N055SHE-E1-AY
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NP32N055SHE-E1-AY
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 32A TO252
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 32A (Tc) 1.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
339
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.2W (Ta), 66W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (MP-3ZK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
RENRNSNP32N055SHE-E1-AY
2156-NP32N055SHE-E1-AY-RETR-ND
2156-NP32N055SHE-E1-AY
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NP32N055SHE-E1-AY
Documenti e supporti
Datasheets
1(NP32N055SHE-E1-AY)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 339
Prezzo unitario: $0.89
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 339
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 339
Sostituti
-