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Spain
Rusia
China
Germany2N4250A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2N4250A
DESCRIZIONE
TRANS PNP 60V TO126
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 200 mW Through Hole TO-126
PRODUTTORE
Central Semiconductor Corp
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
2N4250A Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Central Semiconductor Corp
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100µA, 5V
Power - Max
200 mW
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Central Semiconductor Corp 2N4250A
Documenti e supporti
Environmental Information
1(RoHS Cert)
PCN Obsolescence/ EOL
1(EOL 01/Feb/2017)
EDA Models
1(2N4250A Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : MJE210G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 3,077
Prezzo unitario. : $0.87000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 3,077
Prezzo unitario. : $0.87000
Tipo sostitutivo. : Similar