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GermanyMCB30P1200LB-TRR
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MCB30P1200LB-TRR
DESCRIZIONE
SIC 2N-CH 1200V 9SMPD
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Surface Mount 9-SMPD-B
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
200
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
MCB30P1200LB
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
9-PowerSMD
Supplier Device Package
9-SMPD-B
Base Product Number
MCB30P1200
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/IXYS MCB30P1200LB-TRR
Documenti e supporti
Datasheets
1(MCB30P1200LB)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Packaging
1(Change of label 01/Jul/2023)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-