Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPB065N15N3GE8187ATMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 150 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 75 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7
Package / Case
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Base Product Number
IPB065N

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

IPB065N15N3 G E8187DKR
IPB065N15N3 G E8187TR-ND
SP000939336
IPB065N15N3 G E8187CT-ND
IPB065N15N3GE8187ATMA1DKR
IPB065N15N3GE8187ATMA1CT
IPB065N15N3 G E8187DKR-ND
IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
IPB065N15N3GE8187
IPB065N15N3 G E8187-ND
IPB065N15N3 G E8187CT

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB065N15N3GE8187ATMA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPB065N15N3 G)
Other Related Documents
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1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPB065N15N3 G)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPB065N15N3GATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 2,755
Prezzo unitario. : $7.31000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent