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Germany2SD1816T-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SD1816T-E
DESCRIZIONE
TRANS NPN 100V 4A TP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Through Hole TP
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
2SD1816T-E Models
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
180MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Supplier Device Package
TP
Base Product Number
2SD1816
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
2SD1816T-EOS
2SD1816T-E-ND
2156-2SD1816T-E-ON
ONSONS2SD1816T-E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SD1816T-E
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SB1216/2SD1816)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018)
EDA Models
1(2SD1816T-E Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : 2SD1816T-TL-E
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 17
Prezzo unitario. : $1.05000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 17
Prezzo unitario. : $1.05000
Tipo sostitutivo. : Similar