Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SPB80N03S2L05
DESCRIZIONE
80A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
799

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
89.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3320 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
167W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-SPB80N03S2L05
INFINFSPB80N03S2L05

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPB80N03S2L05

Documenti e supporti

Datasheets
1(SPB80N03S2L-05)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 799
Prezzo unitario: $0.38
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 799

Sostituti

-