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GermanyFF1200R12KE3NOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FF1200R12KE3NOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MODULE 1200V 5000W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
5000 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 1200A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
86 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF1200
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
FF1200R12KE3-ND
FF1200R12KE3
SP000100572
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF1200R12KE3NOSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(FF1200R12KE3)
HTML Datasheet
1(FF1200R12KE3)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FF1200R12IE5BPSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 3
Prezzo unitario. : $674.25000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 3
Prezzo unitario. : $674.25000
Tipo sostitutivo. : Similar