English
Spain
Rusia
China
GermanyIXFJ20N85X
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFJ20N85X
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 850 V 9.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole ISO TO-247-3
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
47 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
850 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ISO TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXFJ20
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFJ20N85X
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXFJ20N85X)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXFJ20N85X)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 300
Prezzo unitario: $8.69433
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Sostituti
-