Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSH205,215
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 12V 750MA TO236AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 12 V 750mA (Ta) 417mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
BSH205,215 Models
PACCHETTO STANDARD
3,000

Specifiche tecniche

Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
680mV @ 1mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 9.6 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
417mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23 (TO-236AB)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
BSH205

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Altri nomi

2156-BSH205215
568-8028-2
568-8028-1
934054721215
BSH205 T/R-ND
BSH205,215-ND
568-8028-6
NEXNXPBSH205,215
954-BSH205215
BSH205 T/R

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BSH205,215

Documenti e supporti

Datasheets
1(BSH205)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(MCU Dip Supply Situation 12/May/2015)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
EDA Models
1(BSH205,215 Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRLML6302TRPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 250,033
Prezzo unitario. : $0.43000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : NTR1P02LT1G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 2,119
Prezzo unitario. : $0.42000
Tipo sostitutivo. : Similar