Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
G3S06504A
DESCRIZIONE
DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Diode 650 V 11.5A Through Hole TO-220AC
PRODUTTORE
Global Power Technology-GPT
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
Global Power Technology-GPT
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Active
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
11.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 4 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F
181pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220AC
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Altri nomi

3383-G3S06504ATB
3383-G3S06504A-ND
3383-G3S06504ACT-ND
3383-G3S06504ACT
3383-G3S06504A

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Global Power Technology-GPT G3S06504A

Documenti e supporti

Datasheets
1(G3S06504A)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $2.539
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $3.02
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : G3S06503A
Produttore. : Global Power Technology-GPT
Quantità disponibile. : 400
Prezzo unitario. : $2.68000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent