English
Spain
Rusia
China
GermanyA2T18S160W31GSR3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
A2T18S160W31GSR3
DESCRIZIONE
RF MOSFET LDMOS 28V NI780
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 28 V 1 A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
250
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Frequency
1.88GHz
Gain
19.9dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
1 A
Power - Output
32W
Voltage - Rated
65 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
NI-780GS-2L2LA
Supplier Device Package
NI-780GS-2L2LA
Base Product Number
A2T18
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. A2T18S160W31GSR3
Documenti e supporti
Datasheets
1(RF Products Selector Guide)
Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev 14/Dec/2022)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
()
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-