English
Spain
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China
GermanyIXTN200N10T
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTN200N10T
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
45 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
550W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXTN200
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTN200N10T
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXTN200N10T)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXTN200N10T)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $30.0008
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $34.301
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $38.6
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
Parte n. : IXFN200N10P
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 37
Prezzo unitario. : $28.12000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 37
Prezzo unitario. : $28.12000
Tipo sostitutivo. : Similar