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GermanyBFR750L3RHE6327
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BFR750L3RHE6327
DESCRIZIONE
RF BIPOLAR TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Transistor NPN 4.7V 90mA 37GHz 360mW Surface Mount PG-TSLP-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
944
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
4.7V
Frequency - Transition
37GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gain
21dB
Power - Max
360mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 60mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max)
90mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
PG-TSLP-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
2156-BFR750L3RHE6327
IFEINFBFR750L3RHE6327
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Infineon Technologies BFR750L3RHE6327
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 944
Prezzo unitario: $0.32
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 944
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 944
Sostituti
-