Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF7465PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,800

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 1.14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF7465PBF

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRF7465)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRF7465)
Simulation Models
1(IRF7465 Spice Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : SI4464DY-T1-E3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 1,100
Prezzo unitario. : $1.34000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : SI4464DY-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.34000
Tipo sostitutivo. : Similar