English
Spain
Rusia
China
GermanyIRLI530NPBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRLI530NPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
41W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-IRLI530NPBF
IFEINFIRLI530NPBF
*IRLI530NPBF
SP001573830
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLI530NPBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRLI530NPbF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Design Resources
1(IRLI530N Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Barcode Label Update 24/Feb/2017)
HTML Datasheet
1(IRLI530NPbF)
Simulation Models
1(IRLI530N Spice Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRLI530GPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 795
Prezzo unitario. : $1.86000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 795
Prezzo unitario. : $1.86000
Tipo sostitutivo. : Similar