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GermanySI8467DB-T2-E1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI8467DB-T2-E1
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
475 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-Microfoot
Package / Case
4-XFBGA, CSPBGA
Base Product Number
SI8467
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SI8467DB-T2-E1TR
SI8467DBT2E1
SI8467DB-T2-E1CT
SI8467DB-T2-E1DKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI8467DB-T2-E1
Documenti e supporti
Datasheets
1(SI8467DB)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML Datasheet
1(SI8467DB)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SI8489EDB-T2-E1
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 5,101
Prezzo unitario. : $0.45000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 5,101
Prezzo unitario. : $0.45000
Tipo sostitutivo. : Similar