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GermanyNJX1675PDR2G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NJX1675PDR2G
DESCRIZIONE
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 3A 100MHz, 120MHz 2W Surface Mount 8-SOIC
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
NJX1675PDR2G Models
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
115mV @ 200mA, 2A / 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 1A, 2V
Power - Max
2W
Frequency - Transition
100MHz, 120MHz
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
NJX16
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
2156-NJX1675PDR2G-ONTR-ND
2156-NJX1675PDR2G
ONSONSNJX1675PDR2G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/onsemi NJX1675PDR2G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NJX1675PDR2G)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 03/Oct/2014)
HTML Datasheet
1(NJX1675PDR2G)
EDA Models
1(NJX1675PDR2G Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : NSS40302PDR2G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.22000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.22000
Tipo sostitutivo. : Similar