Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TSM120N06LCR RLG
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 54A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
PRODUTTORE
Taiwan Semiconductor Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2116 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PDFN (5x6)
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
TSM120

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

TSM120N06LCR RLGTR
TSM120N06LCRRLGTR
TSM120N06LCR RLGDKR-ND
TSM120N06LCR RLGTR-ND
TSM120N06LCR RLGCT
TSM120N06LCRRLGCT
TSM120N06LCRRLGDKR
TSM120N06LCR RLGCT-ND
TSM120N06LCR RLGDKR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR RLG

Documenti e supporti

Datasheets
1(TSM120N06LCR RLG)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(TSM120N06LCR)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 12500
Prezzo unitario: $0.56959
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 5000
QUANTITÀ: 5000
Prezzo unitario: $0.59715
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 5000

Sostituti

Parte n. : TSM130NB06LCR
Produttore. : Taiwan Semiconductor Corporation
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar