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GermanyBDW83C
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BDW83C
DESCRIZIONE
TRANS NPN 100V 15A TO218
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 130 W Through Hole TO-218
PRODUTTORE
Central Semiconductor Corp
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Central Semiconductor Corp
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 6A, 3V
Power - Max
130 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-218-3
Supplier Device Package
TO-218
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Central Semiconductor Corp BDW83C
Documenti e supporti
Datasheets
1(Power Transistors TO-218 Case General Purpose)
Environmental Information
1(RoHS Cert)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-