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GermanyPMPB16XNEA115
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PMPB16XNEA115
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 10.3A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount DFN2020MD-6
PRODUTTORE
Nexperia USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,219
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
775 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.7W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DFN2020MD-6
Package / Case
6-UDFN Exposed Pad
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-PMPB16XNEA115
NEXNEXPMPB16XNEA115
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. PMPB16XNEA115
Documenti e supporti
Datasheets
1(PMPB16XN,115)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-