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GermanySPP100N06S2L-05
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SPP100N06S2L-05
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP100N
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000013721
SPP100N06S2L05
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP100N06S2L-05
Documenti e supporti
Datasheets
1(SPP,SPB100N06S2L-05)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPP,SPB100N06S2L-05)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : CSD18532KCS
Produttore. : Texas Instruments
Quantità disponibile. : 1,564
Prezzo unitario. : $2.31000
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Prezzo unitario. : $4.58000
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Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 24
Prezzo unitario. : $6.91000
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Parte n. : IXTP200N055T2
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.91000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Prezzo unitario. : $3.91000
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