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GermanyIXFN32N120P
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFN32N120P
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
57 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Polar
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
21000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1000W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN32
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN32N120P
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXFN32N120P)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXFN32N120P)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $58.4917
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $65.241
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $71.99
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-