Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FCU600N65S3R0
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
75

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
SuperFET® III
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
465 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
54W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPAK
Base Product Number
FCU600

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FCU600N65S3R0

Documenti e supporti

Datasheets
1(FCU600N65S3R0)
Environmental Information
()
Featured Product
1(650 V, SuperFET® III MOSFETs)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 02/Oct/2023)
PCN Design/Specification
1(SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Change 28/May/2023)
HTML Datasheet
1(FCU600N65S3R0)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $1.1549
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $1.451
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $1.75
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : IXTU8N70X2
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 64
Prezzo unitario. : $3.99000
Tipo sostitutivo. : Similar