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GermanyBSM35GB120DN2HOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSM35GB120DN2HOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MOD 1200V 50A 280W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Half Bridge 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Power - Max
280 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 35A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM35GB120
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-BSM35GB120DN2HOSA1
INFINFBSM35GB120DN2HOSA1
BSM35GB120DN2
SP000100461
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM35GB120DN2HOSA1
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FF50R12RT4HOSA1
Produttore. : Rochester Electronics, LLC
Quantità disponibile. : 5,725
Prezzo unitario. : $74.19000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 5,725
Prezzo unitario. : $74.19000
Tipo sostitutivo. : Direct