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Germany2SB1151-S1-AZ
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SB1151-S1-AZ
DESCRIZIONE
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
332
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
Power - Max
1.3 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-2SB1151-S1-AZ
RENRNS2SB1151-S1-AZ
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SB1151-S1-AZ
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 332
Prezzo unitario: $0.91
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 332
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 332
Sostituti
-