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GermanySPB80N06SL2-7
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SPB80N06SL2-7
DESCRIZIONE
N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
352
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
210W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFINFSPB80N06SL2-7
2156-SPB80N06SL2-7
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPB80N06SL2-7
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 352
Prezzo unitario: $0.85
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 352
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 352
Sostituti
-