Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
C3M0120090D
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 900 V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3
PRODUTTORE
Wolfspeed, Inc.
INIZIATIVA STANDARD
34 Weeks
MODELLO EDACAD
C3M0120090D Models
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
Wolfspeed, Inc.
Series
C3M™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.3 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+18V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
414 pF @ 600 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
97W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
C3M0120090

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

1697-C3M0120090D
C3M0120090D-ND
-3312-C3M0120090D

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Wolfspeed, Inc. C3M0120090D

Documenti e supporti

Featured Product
()
PCN Design/Specification
()
Article Library
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
HTML Datasheet
1(C3M0120090D)
EDA Models
1(C3M0120090D Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1020
Prezzo unitario: $7.76427
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 510
Prezzo unitario: $8.4648
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $9.3405
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $9.92433
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $12.26
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-