English
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China
GermanyBSC052N03S G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSC052N03S G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
5,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2820 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Package / Case
8-PowerTDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000056192
BSC052N03S G-ND
BSC052N03SGXT
BSC052N03SG
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC052N03S G
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSC052N03S G)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSC052N03S G)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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Produttore. : Texas Instruments
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