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GermanyBUK9E1R9-40E,127
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BUK9E1R9-40E,127
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 120A (Tj) Through Hole I2PAK
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
BUK9
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
934066511127
2156-BUK9E1R9-40E127-NX
NEXNXPBUK9E1R9-40E,127
568-9870-5
BUK9E1R940E127
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK9E1R9-40E,127
Documenti e supporti
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : BUK9E1R8-40E,127
Produttore. : NXP USA Inc.
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Direct