Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFBC30
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRFBC30 Models
PACCHETTO STANDARD
1,000

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRFBC30

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBC30

Documenti e supporti

Datasheets
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015)
HTML Datasheet
1(IRFBC30PBF)
EDA Models
1(IRFBC30 Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRFBC30PBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 17,166
Prezzo unitario. : $1.66000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : IRFBC30PBF-BE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 935
Prezzo unitario. : $1.66000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : AOT4N60
Produttore. : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Quantità disponibile. : 432
Prezzo unitario. : $1.01000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STP4NK60Z
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 851
Prezzo unitario. : $1.66000
Tipo sostitutivo. : Similar