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GermanyBC807-25QAZ
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BC807-25QAZ
DESCRIZIONE
BC807-25QA - 45 V, 500 MA PNP GE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 80MHz 900 mW Surface Mount DFN1010D-3
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
9,306
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 1V
Power - Max
900 mW
Frequency - Transition
80MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
2156-BC807-25QAZ
NEXNEXBC807-25QAZ
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. BC807-25QAZ
Documenti e supporti
Datasheets
1(BC807-25QAZ Datasheet)
HTML Datasheet
1(BC807-25QAZ Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 9306
Prezzo unitario: $0.03
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 9306
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 9306
Sostituti
-