Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRL3103D1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 64A (Tc) 2W (Ta), 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
FETKY™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRL3103D1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRL3103D1)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRL3103D1)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : PSMN022-30PL,127
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 8,231
Prezzo unitario. : $1.59000
Tipo sostitutivo. : Similar