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GermanyIRF6217TRPBF-1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF6217TRPBF-1
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 150 V 700mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
4,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
700mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 420mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6217TRPBF-1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF6217PbF-1)
HTML Datasheet
1(IRF6217PbF-1)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-