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GermanyPBSS4230PANP,115
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PBSS4230PANP,115
DESCRIZIONE
NOW NEXPERIA PBSS4230PANP - SMAL
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 30V 2A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,764
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Power - Max
510mW
Frequency - Transition
120MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-UFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
6-HUSON (2x2)
Base Product Number
PBSS4230
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
NEXNXPPBSS4230PANP,115
2156-PBSS4230PANP,115
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/NXP USA Inc. PBSS4230PANP,115
Documenti e supporti
Datasheets
1(PBSS4230PANP,115 Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1764
Prezzo unitario: $0.17
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1764
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1764
Sostituti
-