Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
VS-GT200TP065N
DESCRIZIONE
IGBT MOD 650V 221A INT-A-PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Trench Half Bridge 650 V 221 A 600 W Chassis Mount INT-A-PAK
PRODUTTORE
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
Trench
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
221 A
Power - Max
600 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.12V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)
60 µA
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
INT-A-Pak
Supplier Device Package
INT-A-PAK
Base Product Number
GT200

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT200TP065N

Documenti e supporti

PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 10/Jan/2020)
PCN Design/Specification
1(Plating Material Chg 03/Feb/2016)
HTML Datasheet
1(VS-GT200TP065N)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-