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Rusia
China
Germany2SC4256
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC4256
DESCRIZIONE
NPN SILICON TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 1200 V 10 mA 6MHz 1.75 W Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
290
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
10 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 200µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 500µA, 5V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
6MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-2SC4256
ONSONS2SC4256
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SC4256
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 290
Prezzo unitario: $1.04
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 290
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 290
Sostituti
-