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GermanyNE3515S02-T1D-A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NE3515S02-T1D-A
DESCRIZIONE
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
PRODUTTORE
CEL
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
CEL
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
GaAs HJ-FET
Frequency
12GHz
Gain
12.5dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
88mA
Noise Figure
0.3dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
14dBm
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
S02
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/CEL NE3515S02-T1D-A
Documenti e supporti
Datasheets
1(NE3515S02)
PCN Obsolescence/ EOL
()
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-